Кінзерська Оксана Володимирівна

Кандидат фізико-математичних наук

Кінзерська Оксана Володимирівна

Посада

Асистент кафедри оптики та видавничо-поліграфічної справи

Вчений ступінь

Кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання

Освіта

Закінчила Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича в 2005 році. Спеціальність: Фізика. Кваліфікація: Фізик, викладач фізики

Кандидат фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. "Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих перехідними металами"

Підвищення кваліфікації

  • Посвідчення про підвищення кваліфікації 03/45, видано 21.12.2018 р. Вищим державним закладом України "Буковинський державний медичний університет"

    Посвідчення про

Навчально-методична, наукова та практична діяльність

Викладання дисциплін

  • Фізика атома і атомних явищ

  • Оптика

Наукові інтереси

  • Фізичні властивості широкозонних напівпровідників, легованих домішками перехідних і рідкоземельних елементів

  • Тонкі шари широкозонних напівпровідників, легованих ізовалентними домішками

  • Оптичні, люмінесцентні та фотоелектричні явиша в напівпровідниках

Наукова діяльність

  • Наукова діяльність: є співавтором понад 70 наукових публікацій, та 11 патентів.

Монографії

Віктор Махній, Михайло Березовський, Оксана Кінзерська. Оптика. Навчальний посібник. Чернівці: Друк Арт, 2018. – 336 с.

Основні публікації

M.M. Slyotov. Preparation and luminescence properties of α-ZnSe heterolayers with surface nanostructure / M.M. Slyotov, O.S. Gavalechko, O.V. Kinzerska // Journal of nano- and electronic physics. – 2017. – 9(5). – P.05046-1-05046-3.

V.P. Makhniy. Luminescence of crystals ZnSe<Al>:Gd / V.P. Makhniy, N.D. Vakhnyak, O.V Kinzerska., I.M.Senko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2018. – 21 (1). – P.81-82

V. Makhniy. Analysis of the separation methods of optical spectra for individual components / V. Makhniy, O. Kinzerska, I. Senko // Journal IAPGOS. – 2018. – 4. – P.8-11.

V.P. Makhniy. Hole conductivity of thin layers of cadmium telluride with Li and Ca impurities/ V.P. Makhniy, T.M. Mazur, Beresovskiy M.M., Kinzerska O.V.,V.V. Prokopiv // Physics and Chemistry of Solid State. – 2018. – 19(4). – P.313-315.

V.P.Makhniy. Edge luminescence of zinc selenide crystals with impurities of rare-earth elements / V.P.Makhniy, M.M. Berezovskiy, O.V. Kinzerska, I.M. Senko // Оптико-електронні пристрої та компоненти в лазерних і енергетичних технологіях. – 2018. – 3...

V.P.Makhniy. Prospects for the use of ZnSe<Te> crystals in hyperspectral optical systems / V.P.Makhniy, O.V. Kinzerska, I.M. Senko // Оптико-електронні пристрої та компоненти в лазерних і енергетичних технологіях. – 2018. – 36(2). – С. 72-74.

V.P. Makhniy. Effect of chemical treatment of the surface on optical properties of ZnSe<Al> substrates / V.P. Makhniy, M.M. Beresovskiy, O.V. Kinzerska, I.M. Senko // Journal of nano- and electronic physics. – 2019. – 11(1). – P.01023-1-01023-5.

V.P. Makhniy. γ-irradiation influence on the Urbach rule criteria in ZnSe<Te> crystals / V.P. Makhniy, O.V. Kinzersky, I.M. Senko // Telecommunications and Radio Engineering. – 2019. – 78(2). – P.153-159.

Патенти

Патент 131203 Україна Н01L 21/28. Спосіб виготовлення омічних контактів до селеніду цинку / В.П. Махній, М.М. Березовський, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 131203 U; под. заявки 22.06.2018; опубл. 10.01.2019, Бюл. № 1.

Патент 131204 Україна МПК (2018.01) Н01L 21/00 Н01L 31/00. Спосіб виготовлення гетроструктур α-ZnSe/CdSe / В.П. Махній, М.М. Березовський, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 131204 U; под. заявки 22.06.2018; опубл. 10.01.2019, Бюл. № 1.

Патент 134167 Україна МПК (2006) Н01L 21/00 Н01L 31/00. Спосіб виготовлення гетерошарів α-ZnSe / В.П. Махній, М.М. Березовський, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 134167; под. заявки 12.10.2018; опубл. 10.05.2019, Бюл. № 9.

Патент 134195 Україна МПК (2006) С30В 29/46 С30В 31/00. Спосіб розширення спектра пропускання кристалів ZnSe<Te> / В.П. Махній, О.В. Кінзерська, І.М. Сенко; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 134195; под. заявки 16.11.2018; опубл. 10.05.2019, Бюл. № 9.

Патент 134211 Україна МПК (2005) G01F 1/58 G01N 33/00. Спосіб виявлення «прихованих» анізотропних центрів в кубічному кристалі / В.П. Махній, М.М. Березовський, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 134211; под. заявки 26.11.2018; опубл. 10.05.2019, Бюл. № 9.

Патент 136833 України МПК (2006):C30B 31/00, H01L 21/00. Спосіб отримання шарів селеніду цинку з дірковою провідністю / В.П. Махній, М.М. Березовський, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 136833; под. заявки 11.03.2019; опубл. 10.09.2019, Бюл. № 17.

Патент 136834 України МПК H01L 21/66 (2006.01). Спосіб визначення концентрації легуючих домішок у напівпровідниках / В.П. Махній, О.В. Кінзерська; заявник і патентовласник Чернівецький національний університет. – № UA 136834; под. заявки 11.03.2019; опубл. 10.09.2019, Бюл. № 17.

Chernivtsi National University